混合式繼電器是將靜態(tài)繼電器和機械繼電器并聯(lián)在一起構成的開關元件，兼具機械繼電器的低壓降與硅器件的可靠性，常用于電器設備的電機啟動器或加熱器控制功能。歐盟RoHS指令可能會影響到機械繼電器的工作可靠性，因此，混合式繼電器日益受到市場的青睞。 正確控制混合式繼電器，看起來容易，做起來難。例如，在機械開關和半導體開關相互轉換過程中可能會產(chǎn)生尖峰電壓，引起電磁噪聲輻射。為了有效降低尖峰電壓，本文將探討幾個簡易的控制電路設計技巧。 一、整合固態(tài)繼電器與機械繼電器的雙重優(yōu)勢當選擇交流開關時，固態(tài)繼電器和機械繼電器電器/雙向可控硅控制序列圖1還描述了混合式繼電器的控制序列: 

接通序列: 

1.雙向可控硅(在大電流應用中，使用兩個反極性并聯(lián)的可控硅整流管)導通，負載零電壓接通。
2.在一個或數(shù)個市電周期后，繼電器接通。繼電器的接通電壓極低（通常是1-2V，恰好是雙向可控硅的通態(tài)壓降）。
3.在施加繼電器線圈電流一到兩個周期后，撤去雙向可控硅柵電流，為繼電器在雙向可控硅關斷前吸合提供充足的時間。因此，穩(wěn)態(tài)負載電流只流經(jīng)機械繼電器。關閉序列: 1.雙向可控硅導通。因為繼電器還在接通狀態(tài)， 所以負載電流主要流經(jīng)機械繼電器。 2.幾毫秒后繼電器關閉。像繼電器接通一樣， 關閉電壓同樣極低。因此，電弧時間被縮短。 3.在撤去繼電器線圈電流一個到兩個周期后，再撤去雙向可控硅柵電流，雙向可控硅關斷?；旄饔袃?yōu)缺點。半導體固態(tài)繼電器響應速度快，導通無電壓反彈，關斷無電弧，電壓反彈或電弧將會造成電磁干擾(EMI)輻射，縮短繼電器的使用壽命。機械繼電器的主要優(yōu)點是導通損耗小，2 A RMS以上應用無需使用散熱器；驅動線圈與電源接線端子之間隔離，無需通過光耦合器驅動可控硅整流管(SCR)或雙向可控硅。 第三種繼電器是將固態(tài)繼電器與機械繼電器并聯(lián)，形成一個兼?zhèn)溥@兩種技術優(yōu)勢的混合式繼電器(簡稱HR)。圖1所示是電機啟動器內的混合式繼電器拓撲，這個三相電機啟動器只需要兩個混合式繼電器，如果兩個繼電器都是關斷狀態(tài)，只要電機中性線沒有連接，電機就會保持關斷狀態(tài)。如果負載連接了中性線，還可以在線 L1上串 聯(lián)一個混合式繼電器。 圖 1: 左)基于混合式繼電器的電機啟動器；右)繼合式繼電器在零電流時關斷。 繼電器在近零電壓時關閉，可提高繼電器使用壽命十倍。如果是直流電流或電壓關斷，這個數(shù)字還能再高些。 更重要地是，因為歐盟RoHS指令(2002/95/EC)關于豁免鎘限制使用的規(guī)定將于2016年到期，觸點 防銹和觸點焊接所用的銀-氧化鎘合金將會被銀氧化鋅或銀氧化錫替代。除非使用面積更大的觸點，否則這些觸點的使用壽命將會縮短。零壓導通技術還準許使用容性負載來降低涌流， 容性負載包括燈具電子鎮(zhèn)流器和內置補償電容或逆變器的熒光燈具。這項技術有助于延長電容器的使用壽命，避免市電電壓不穩(wěn)問題。此外，固 態(tài)繼電器技術支持漸進式軟啟動或軟停止。電機轉速平穩(wěn)升降可降低機械系統(tǒng)磨損，防止泵、風扇、電動工具和壓縮機損壞。例如，管道系統(tǒng)中的水擊現(xiàn)象就會消失，V型傳送帶打滑現(xiàn)象不會再出現(xiàn)。 體來建這種混合式繼電器常用于4-15 kW的設備，最高應用功率可達250kW。 此外，混合式繼電器還可用于加熱系統(tǒng)。脈沖控制器通常被用于設定加熱功率或室溫/水溫。脈沖或周期跳躍模式控制方法是接通負載 ”N”個周期，關閉負 載“K”個周期。像脈寬調制控制技術中的占空比一 樣，“N/K”周期比用于設定加熱功率，雖然控制頻率 小于25-30 Hz，但是，對于加熱系統(tǒng)的時間常量來說，這個頻率已經(jīng)足夠快了。 

二、EMI噪聲源驅動雙向可控硅有很多控制電路可以考慮，前提是隔離電路。圖1中的兩個雙向可控硅的參考電壓不事實上，在光耦雙向可控硅電路內，雙向可控 硅的 A1和 A2端子之間必須有電壓，才能向柵 極上施加電流。雙向可控硅導通時的電壓降接 近1V或1.5 V，這個壓降值不足以向柵極施加電流，因為該壓降小于光耦雙向可控硅壓降與GA1結壓降之和（兩者的壓降都高于1V)。因 此，每當負載電流過零點時，沒有電流施加到柵極，雙向可控硅關斷。 當雙向可控硅關斷時，線路電壓施加在雙向可控硅的端子上，該電壓必須將VTPeak 電壓提高到足夠高，才能使施加的柵極電流達到雙向可控硅IGT電流值。 圖2實驗使用了一個T2550-12G雙向可控硅(25 A，1200 V，50 mA IGT)，最高峰值電壓等于 7.5 V(在負電壓轉換過程中)。假設 G-A1結和光 耦雙向可控硅的典型壓降分別為0.8 V和1.1 V， 這個實驗使用一個200歐姆電阻器R1取得28 mA柵極電流。對于我們所用樣品，這個電流是第三象限(負電壓VT 和負柵極電流)導通所需的電流IGT。 如果樣品的IGT電流接近最大指定值(50 mA)， VTPeak 電壓將會更高。因為IGT值隨著溫度降低而升高，如果雙向可控硅的結溫較低， VTPeak 電壓將會更高。因為VTPeak電壓的頻率是線路電壓頻率的兩倍同，所以隔離控制電路應該使用光耦雙向可控硅或脈沖變壓器。兩個電路的工作方式不同，產(chǎn)生的EMI噪聲也不相同。圖 2 所示是一個光耦雙向可控硅驅動電路。當光 耦雙向可控硅LED激

活時（即當微控制器I/O引腳 置于高邊時），通過R1施加雙向可控硅柵極電流。電阻R2連接在雙向可控硅G與A1端子之間，用 于分流瞬變電壓在光耦雙向可控硅寄生電容上產(chǎn)生的電流。通常使用50-100歐姆的電阻器。該電路的工作原理是在每個電流過零點（如圖2所 示）上產(chǎn)生峰值電壓，即便光耦雙向可控硅內置電壓過零電路也是如此。(若市電50 Hz ，則該電壓頻率是100 Hz)，其EMI噪聲輻射超出了EN 55014-1電器設備和電動工具 標準規(guī)定的輻射限制。還應指出地是，這個噪聲只在雙向可控硅導通時才會出現(xiàn)。只要繞過繼電器，噪聲就會消失。EN 55014-1斷續(xù)干擾限制規(guī)定與反復率(或“click”)有關，即混合式繼電器的工作頻率和干擾時長。為避免這些電壓峰值，在光耦雙向可控硅與脈沖變壓器之間優(yōu)先選擇脈沖變壓器。在變壓器二次側增加一個整流全橋和一個電容器，用于修平整 流電壓，為驅動雙向可控硅柵極提供直流電流。 因此，在電流過零點不再有尖峰電壓，不過，當 導通狀態(tài)從機電繼電器轉換到雙向可控硅時，還會發(fā)生電磁干擾。只有在混合式繼電器關閉時才會發(fā)生導通轉換。圖 3.a描述了這個階段發(fā)生的尖峰電壓；時間恰好是在雙向可控硅導通時，整個負載電流從繼電器突然切換到雙向可控硅。圖 3.b圖所示是雙向可控硅上電流上升過程的放大圖。dIT/t速率接近8 A/μs。雙向可控硅被觸發(fā)時 還沒有導通（因為全部電流還是流經(jīng)機械繼電 器），當電流開始流經(jīng)可控硅時，硅襯底具有很高的電阻。高電阻將會產(chǎn)生高峰值電壓，在圖3使用T2550-12G進行的實驗中，該峰壓為11.6 V。 在雙向可控硅開始導通后，其硅結構的正反面PN結將向硅襯底注入少數(shù)載流子，這會降低襯底的電阻，將通態(tài)電壓降至約1V-1.5 V。 這種現(xiàn)象與PIN二極管上的峰值壓降現(xiàn)象相 同，導通時電流上升速率高，所以PIN二極管數(shù)據(jù)手冊給出VFP 峰壓，該參數(shù)大小與適用的 dI/dt參數(shù)有關，如果是高頻開關應用，該參 數(shù)將會影響能效。在混合式繼電器中，VFP 電壓只在繼電器關閉時才會出現(xiàn)，計算功率損耗 時無需考慮。 還應注意地是，既然VFP 現(xiàn)象是因注

入少數(shù)載 流子以控制襯底電阻所用時間造成的，1200V的雙向可控硅的VFP高于800V解決方案的VFP，例如， T2550-8。因此，必須精心挑選器件所能承受的VFP電壓， 因為過高的余量將會導致雙向可控硅導通時峰壓較高。 雖然峰壓實際測量值高于在光耦雙向可控硅電路上測量到的峰壓，但是，因為這種現(xiàn)象只是在混合式繼電器關閉時每周期出現(xiàn)一次，且持續(xù)時間只有幾毫秒，所以，EMI電磁干擾還是降低了。盡管脈沖變壓器使用昂貴的鐵氧磁芯，體積大，成本高，考慮到這個原因，脈沖變壓器驅動電路依然是首選。